FF400R12KT3HOSA1
الصانع:
تقنيات إنفينيون
الوصف:
IGBT وزارة الدفاع 1200V 580A 2000W
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
580 أ
حالة المنتج:
ليس من أجل التصاميم الجديدة
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الصندوق
مسلسل:
c
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
2.15 فولت @ 15 فولت، 400 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
وحدة
مفر:
تقنيات إنفينيون
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
5 مللي أمبير
نوع IGBT:
توقف حقل الخندق
أقصى القوة:
2000 واط
المدخلات:
المعيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
28 نانو فهرنهايت @ 25 فولت
التكوين:
2 مستقل
NTC الثرمستور:
لا..
رقم المنتج الأساسي:
FF400R12
مقدمة
وحدة IGBT محطة الحقل الخندق توقف 2 مستقلة 1200 فولت 580 A 2000 واط وحدة تركيب الهيكل
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: