FP50R12N2T7PBPSA1
الصانع:
تقنيات إنفينيون
الوصف:
1200 فولت، 50 أمبير وحدة PIM IGBT
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
50 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الصندوق
مسلسل:
EconoPIM™ 2، TRENCHSTOP™
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
1.85 فولت @ 15 فولت، 25 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
AG-ECONO2B
مفر:
تقنيات إنفينيون
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
4 µ
نوع IGBT:
توقف حقل الخندق
أقصى القوة:
20 ميغاواط
المدخلات:
مقوم جسر ثلاثي الطور
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
11.1 nF @ 25 V.
التكوين:
ثلاث مراحل العاكس
NTC الثرمستور:
نعم..
مقدمة
وحدة IGBT محطة الحفرة محطة توقف ثلاثية المراحل عاكس 1200 فولت 50 A 20 مايو شاسيس جبل AG-ECONO2B
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: