FF800R17KP4B2NOSA2
الصانع:
تقنيات إنفينيون
الوصف:
وحدة IGBT 1700 فولت 800 أمبير
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
1200 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الصندوق
مسلسل:
إهم-أ
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
-
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1700 فولت
حزمة أجهزة المورد:
أ-IHV130-3
مفر:
تقنيات إنفينيون
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
5 مللي أمبير
نوع IGBT:
توقف حقل الخندق
أقصى القوة:
1200 واط
المدخلات:
المعيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
65 نانو فهرنهايت @ 25 فولت
التكوين:
2 مستقل
NTC الثرمستور:
لا..
رقم المنتج الأساسي:
FF800R17
مقدمة
IGBT وحدة خندق الحقل توقف 2 مستقل 1700 فولت 1200 A 1200 واط الهيكل الصعود A-IHV130-3
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: