أبت45GP120J
الصانع:
تكنولوجيا الرقائق
الوصف:
IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
75 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
أنبوب
مسلسل:
POWER MOS 7®
الحزمة / الحقيبة:
ISOTOP
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
3.9 فولت @ 15 فولت، 45 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
آيزوتوب®
مفر:
تكنولوجيا الرقائق
درجة حرارة العمل:
-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
500
نوع IGBT:
PT
أقصى القوة:
329 واط
المدخلات:
المعيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
3.94 نانو فهرنهايت عند 25 فولت
التكوين:
العازب
NTC الثرمستور:
لا..
رقم المنتج الأساسي:
أبت45GP120
مقدمة
وحدة IGBT PT Single 1200 V 75 A 329 W الهيكل الصلب ISOTOP®
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: