FP50R06W2E3B11BOMA1
المواصفات
				
						الفئة:
						
																				منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
					
						التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
						
																				65 أ
					
						حالة المنتج:
						
																				نشط
					
						نوع التثبيت:
						
																				جبل الهيكل
					
						الحزمة:
						
																				الصندوق
					
						مسلسل:
						
																				إيزي بي آي إم ™ 2 ب
					
						الحزمة / الحقيبة:
						
																				وحدة
					
						Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
						
																				1.9 فولت @ 15 فولت، 50 أمبير
					
						الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
						
																				600 فولت
					
						حزمة أجهزة المورد:
						
																				وحدة
					
						مفر:
						
																				تقنيات إنفينيون
					
						درجة حرارة العمل:
						
																				-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية
					
						التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
						
																				1 mA
					
						نوع IGBT:
						
																				توقف حقل الخندق
					
						أقصى القوة:
						
																				175 وات
					
						المدخلات:
						
																				المعيار
					
						سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
						
																				3.1 نانو فاراد عند 25 فولت
					
						التكوين:
						
																				ثلاث مراحل العاكس
					
						NTC الثرمستور:
						
																				نعم..
					
						رقم المنتج الأساسي:
						
														FP50R06
					مقدمة
				
						وحدة IGBT محطة خندق محطة توقف ثلاثية المراحل عاكس 600 فولت 65 A 175 واط وحدة تركيب الهيكل
					                            
                      					
				أرسل RFQ
				
							الأسهم:
							
							            							    														
						
						
							الـ MOQ:
							
							            							    														
						
					 
     
        

