VS-GT200TS065N
الصانع:
فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
الوصف:
وحدات IGBT - IAP IGBT
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
193 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
مربع
مسلسل:
فريد بت®
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
2.3 فولت @ 15 فولت، 200 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
650 فولت
حزمة أجهزة المورد:
إنت-أ-باك إيغبت
مفر:
فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
100
نوع IGBT:
خندق
أقصى القوة:
517 دبليو
المدخلات:
المعيار
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (TJ)
التكوين:
نصف جسر عاكس
NTC الثرمستور:
لا..
مقدمة
وحدة IGBT خندق نصف الجسر عاكس 650 فولت 193 A 517 واط الهيكل جبل INT-A-PAK IGBT
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: